AUIRF2804L-313TRL Infineon Technologies | Prodotti a semiconduttore discreti

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AUIRF2804L-313TRL
Codice DigiKey	448-AUIRF2804L-313TRLTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	AUIRF2804L-313TRL
Descrizione	MOSFET N-CH 40V 195A TO262
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 40 V 195 A (Tc) 300W (Tc) Foro passante TO-262-3

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	40 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	195 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	2,3mohm a 75A, 10V
Vgs(th) max a Id	4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	240 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	6450 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	300W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Automobilistico
Qualifica	AEC-Q101
Tipo di montaggio	Foro passante
Contenitore del fornitore	TO-262-3
Contenitore/involucro	TO-262-3 conduttori lunghi, I2PAK, TO-262AA