AUIRF7316QTR Infineon Technologies | Array FET, MOSFET

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AUIRF7316QTR
Codice DigiKey	448-AUIRF7316QTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-AUIRF7316QTRCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	AUIRF7316QTR
Descrizione	MOSFET 2P-CH 30V 8SOIC
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 30V 2W A montaggio superficiale 8-SOIC
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	AUIRF7316QTR Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET	Vgs(th) max a Id 3V a 250µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 34nC a 10V
Serie HEXFET®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 710pF a 25V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT)	Potenza - Max 2W
Stato componente Obsoleto	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Configurazione 2 canali P (doppio)	Contenitore/involucro 8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
Funzione FET Porta a livello logico	Contenitore del fornitore 8-SOIC
Tensione drain/source (Vdss) 30V	Codice componente base AUIRF7316
RDSon (max) a Id, Vgs 58mohm a 4,9A, 10V

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Sostituti (1)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
FDS6975	onsemi	15’418	FDS6975CT-ND	Fr. 1.60000	Diretto

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