AUIRF7342QTR Infineon Technologies | Prodotti a semiconduttore discreti

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AUIRF7342QTR
Codice DigiKey	AUIRF7342QTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	AUIRF7342QTR
Descrizione	MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SOIC
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 55V 3,4A 2W A montaggio superficiale 8-SOIC
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	AUIRF7342QTR Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET
Produttore	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Obsoleto
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione	2 canali P (doppio)
Funzione FET	Porta a livello logico
Tensione drain/source (Vdss)	55V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	3,4A
RDSon (max) a Id, Vgs	105mohm a 3,4A, 10V
Vgs(th) max a Id	3V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	38nC a 10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	690pF a 25V
Potenza - Max	2W
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	Automobilistico
Qualifica	AEC-Q101
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore/involucro	8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
Contenitore del fornitore	8-SOIC
Codice componente base	AUIRF7342