Name: AUIRF7759L2TR
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-AUIRF7759L2TR-ND
Price: 8.7561 CHF
Availability: InStock

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AUIRF7759L2TR
Codice DigiKey	448-AUIRF7759L2TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-AUIRF7759L2TRCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-AUIRF7759L2TRDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	AUIRF7759L2TR
Descrizione	MOSFET N-CH 75V 375A DIRECTFET
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 75 V 375 A (Tc) 3,3W (Ta), 125W (Tc) A montaggio superficiale DirectFET™ isometrico L8
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Data di acquisto finale
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	75 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	375 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	2,3mohm a 96A, 10V
Vgs(th) max a Id	4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	300 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	12222 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	3,3W (Ta), 125W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Automobilistico
Qualifica	AEC-Q101
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	DirectFET™ isometrico L8
Contenitore/involucro	DirectFET™ isometrico L8
Codice componente base	AUIRF7759