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Infineon Technologies
In magazzino: 0
Prezzo unitario : Fr. 6.18000
Scheda tecnica

Equivalente parametrico


Infineon Technologies
In magazzino: 11’666
Prezzo unitario : Fr. 2.95000
Scheda tecnica
PG-TO263-3
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PG-TO263-3
PG-T0263-3

AUIRFS4127TRL

Codice DigiKey
AUIRFS4127TRL-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
AUIRFS4127TRL
Descrizione
MOSFET N-CH 200V 72A D2PAK
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 200 V 72 A (Tc) 375W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-3
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
AUIRFS4127TRL Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Serie
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Data di acquisto finale
Tipo FET
Tecnologia
Tensione drain/source (Vdss)
200 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
22mohm a 44A, 10V
Vgs(th) max a Id
5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
150 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
5380 pF @ 50 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
375W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automobilistico
Qualifica
AEC-Q101
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
PG-TO263-3
Contenitore/involucro
Codice componente base
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Data ultima possibilità d'acquisto
Data ultima possibilità d'acquisto: 15.10.2026
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
800Fr. 2.79104Fr. 2’232.83
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 2.79104
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 3.01711