BC858AE6327HTSA1 è disponibile per l'acquisto ma non è generalmente a magazzino.
Sostituti disponibili:

Diretto


onsemi
In magazzino: 34’414
Prezzo unitario : Fr. 0.09000
Scheda tecnica

Simile


Rohm Semiconductor
In magazzino: 2’792
Prezzo unitario : Fr. 0.57000
Scheda tecnica

Simile


Rohm Semiconductor
In magazzino: 2’710
Prezzo unitario : Fr. 0.57000
Scheda tecnica

Simile


Rohm Semiconductor
In magazzino: 0
Prezzo unitario : Fr. 0.15953
Scheda tecnica

Simile


Rohm Semiconductor
In magazzino: 0
Prezzo unitario : Fr. 0.65000
Scheda tecnica

Simile


Diodes Incorporated
In magazzino: 984
Prezzo unitario : Fr. 0.20000
Scheda tecnica

Simile


Diotec Semiconductor
In magazzino: 2’427
Prezzo unitario : Fr. 0.09000
Scheda tecnica

Simile


onsemi
In magazzino: 2’380
Prezzo unitario : Fr. 0.15000
Scheda tecnica

Simile


Nexperia USA Inc.
In magazzino: 0
Prezzo unitario : Fr. 0.08000
Scheda tecnica

Simile


Nexperia USA Inc.
In magazzino: 0
Prezzo unitario : Fr. 0.08000
Scheda tecnica

Simile


Diodes Incorporated
In magazzino: 72
Prezzo unitario : Fr. 0.15000
Scheda tecnica

Simile


Comchip Technology
In magazzino: 0
Prezzo unitario : Fr. 0.03414
Scheda tecnica

Simile


onsemi
In magazzino: 20’115
Prezzo unitario : Fr. 0.09000
Scheda tecnica

Simile


onsemi
In magazzino: 48’353
Prezzo unitario : Fr. 0.09000
Scheda tecnica
Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli PNP 30 V 100 mA 250MHz 330 mW A montaggio superficiale PG-SOT23
Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

BC858AE6327HTSA1

Codice DigiKey
BC858AE6327HTSA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
BC858AE6327HTSA1
Descrizione
TRANS PNP 30V 0.1A PG-SOT23
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli PNP 30 V 100 mA 250MHz 330 mW A montaggio superficiale PG-SOT23
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
BC858AE6327HTSA1 Modelli
Attributi del prodotto
Filtra prodotti simili
Mostra attributi vuoti
Categoria
Guadagno di corrente c.c. (hFE) min a Ic, Vce
125 a 2mA, 5V
Produttore
Potenza - Max
330 mW
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Frequenza - Transizione
250MHz
Stato componente
Data di acquisto finale
Temperatura di funzionamento
150°C (TJ)
Tipo di transistor
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Corrente - Collettore (Ic) max
100 mA
Contenitore/involucro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max)
30 V
Contenitore del fornitore
PG-SOT23
Saturazione Vce (max) a Ib, Ic
650mV a 5mA, 100mA
Codice componente base
Corrente - Interruzione collettore (max)
15 nA (ICBO)
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
Sostituti (34)
Codice componenteProduttore Quantità disponibileCodice DigiKey Prezzo unitario Tipo di articolo sostitutivo
BC858ALT1Gonsemi34’414BC858ALT1GOSCT-NDFr. 0.09000Diretto
2SB1695KT146Rohm Semiconductor2’7922SB1695KT146CT-NDFr. 0.57000Simile
2SB1695TLRohm Semiconductor2’7102SB1695TLCT-NDFr. 0.57000Simile
2SB1706TLRohm Semiconductor02SB1706TLCT-NDFr. 0.15953Simile
2SB1710TLRohm Semiconductor02SB1710TLCT-NDFr. 0.65000Simile
Data ultima possibilità d'acquisto
Data ultima possibilità d'acquisto: 31.12.2026
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
45’000Fr. 0.03575Fr. 1’608.75
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 0.03575
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 0.03865