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Scheda tecnica

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Nexperia USA Inc.
In magazzino: 3’620
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Scheda tecnica

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onsemi
In magazzino: 14’277
Prezzo unitario : Fr. 0.14000
Scheda tecnica

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onsemi
In magazzino: 0
Prezzo unitario : Fr. 0.29000
Scheda tecnica

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Rohm Semiconductor
In magazzino: 2’802
Prezzo unitario : Fr. 0.55000
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Rohm Semiconductor
In magazzino: 2’785
Prezzo unitario : Fr. 0.58000
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Rohm Semiconductor
In magazzino: 0
Prezzo unitario : Fr. 0.69000
Scheda tecnica

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Rohm Semiconductor
In magazzino: 0
Prezzo unitario : Fr. 0.63000
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STMicroelectronics
In magazzino: 4’094
Prezzo unitario : Fr. 0.46000
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In magazzino: 154’936
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Prezzo unitario : Fr. 0.10000
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PG-SOT23
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BC858BE6327HTSA1

Codice DigiKey
BC858BE6327HTSA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
BC858BE6327HTSA1
Descrizione
TRANS PNP 30V 0.1A PG-SOT23
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli PNP 30 V 100 mA 250MHz 330 mW A montaggio superficiale PG-SOT23
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
BC858BE6327HTSA1 Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Data di acquisto finale
Tipo di transistor
Corrente - Collettore (Ic) max
100 mA
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max)
30 V
Saturazione Vce (max) a Ib, Ic
650mV a 5mA, 100mA
Corrente - Interruzione collettore (max)
15 nA (ICBO)
Guadagno di corrente c.c. (hFE) min a Ic, Vce
220 a 2mA, 5V
Potenza - Max
330 mW
Frequenza - Transizione
250MHz
Temperatura di funzionamento
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore/involucro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Contenitore del fornitore
PG-SOT23
Codice componente base
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Data ultima possibilità d'acquisto
Data ultima possibilità d'acquisto: 31.12.2026
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
45’000Fr. 0.02518Fr. 1’133.10
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 0.02518
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 0.02722