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Nexperia USA Inc.
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Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli NPN 80 V 1 A 100MHz 2 W A montaggio superficiale PG-SOT223-4-10
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BCP5616H6327XTSA1

Codice DigiKey
BCP5616H6327XTSA1-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
BCP5616H6327XTSA1
Descrizione
TRANS NPN 80V 1A PG-SOT223-4-10
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli NPN 80 V 1 A 100MHz 2 W A montaggio superficiale PG-SOT223-4-10
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Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Data di acquisto finale
Tipo di transistor
Corrente - Collettore (Ic) max
1 A
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max)
80 V
Saturazione Vce (max) a Ib, Ic
500mV a 50mA, 500mA
Corrente - Interruzione collettore (max)
100 nA (ICBO)
Guadagno di corrente c.c. (hFE) min a Ic, Vce
100 a 150mA, 2V
Potenza - Max
2 W
Frequenza - Transizione
100MHz
Temperatura di funzionamento
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore/involucro
TO-261-4, TO-261AA
Contenitore del fornitore
PG-SOT223-4-10
Codice componente base
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Nastrato in bobina (TR)
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7’000Fr. 0.12598Fr. 881.86
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 0.12598
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