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BCP5616H6327XTSA1 | |
|---|---|
Codice DigiKey | BCP5616H6327XTSA1-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | BCP5616H6327XTSA1 |
Descrizione | TRANS NPN 80V 1A PG-SOT223-4-10 |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli NPN 80 V 1 A 100MHz 2 W A montaggio superficiale PG-SOT223-4-10 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | BCP5616H6327XTSA1 Modelli |
Attributi del prodotto
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Categoria | Guadagno di corrente c.c. (hFE) min a Ic, Vce 100 a 150mA, 2V |
Produttore | Potenza - Max 2 W |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Frequenza - Transizione 100MHz |
Stato componente Data di acquisto finale | Temperatura di funzionamento 150°C (TJ) |
Tipo di transistor | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Corrente - Collettore (Ic) max 1 A | Contenitore/involucro TO-261-4, TO-261AA |
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max) 80 V | Contenitore del fornitore PG-SOT223-4-10 |
Saturazione Vce (max) a Ib, Ic 500mV a 50mA, 500mA | Codice componente base |
Corrente - Interruzione collettore (max) 100 nA (ICBO) |
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Sostituti (23)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| BCP56-16T1G | onsemi | 0 | BCP56-16T1GOSCT-ND | Fr. 0.55000 | Diretto |
| BCP5616QTA | Diodes Incorporated | 0 | BCP5616QTADICT-ND | Fr. 0.41000 | Diretto |
| BCP5616TA | Diodes Incorporated | 0 | BCP5616TACT-ND | Fr. 0.33000 | Diretto |
| SBCP56-16T1G | onsemi | 0 | SBCP56-16T1GOSCT-ND | Fr. 0.53000 | Diretto |
| SBCP56-16T3G | onsemi | 0 | SBCP56-16T3GOSCT-ND | Fr. 0.53000 | Diretto |
Data ultima possibilità d'acquisto
Data ultima possibilità d'acquisto: 31.12.2026
Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 7’000 | Fr. 0.12423 | Fr. 869.61 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 0.12423 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 0.13429 |
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