Name: BCR116E6327HTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BCR116E6327HTSA1TR-ND
Price: 0.27025 CHF
Availability: InStock

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BCR116E6327HTSA1
Codice DigiKey	BCR116E6327HTSA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) BCR116E6327HTSA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	BCR116E6327HTSA1
Descrizione	TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli pre-polarizzati NPN - pre-polarizzato 50 V 100 mA 150 MHz 200 mW A montaggio superficiale PG-SOT23
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	BCR116E6327HTSA1 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor Bipolare (BJT) Transistori bipolari singoli, pre-polarizzati	Guadagno di corrente c.c. (hFE) min a Ic, Vce 70 a 5mA, 5V
Produttore Infineon Technologies	Saturazione Vce (max) a Ib, Ic 300mV a 500µA, 10mA
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT)	Corrente - Interruzione collettore (max) 100 nA (ICBO)
Stato componente Data di acquisto finale	Frequenza - Transizione 150 MHz
Tipo di transistor NPN - pre-polarizzato	Potenza - Max 200 mW
Corrente - Collettore (Ic) max 100 mA	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max) 50 V	Contenitore/involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Resistori inclusi R1 e R2	Contenitore del fornitore PG-SOT23
Resistore - Base (R1) 4.7 kOhms	Codice componente base BCR116
Resistore - Base emettitore (R2) 47 kOhms

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Sostituti (26)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
MMUN2233LT1G	onsemi	0	MMUN2233LT1GOSCT-ND	Fr. 0.11000	Diretto
SMMUN2233LT1G	onsemi	0	SMMUN2233LT1GOSCT-ND	Fr. 0.14000	Diretto
DDTC143FCA-7-F	Diodes Incorporated	2’325	DDTC143FCA-FDICT-ND	Fr. 0.18000	Simile
DDTC143TCA-7-F	Diodes Incorporated	17’687	DDTC143TCA-FDICT-ND	Fr. 0.18000	Simile
DDTC143XCA-7-F	Diodes Incorporated	87’000	DDTC143XCA-FDICT-ND	Fr. 0.18000	Simile

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