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Infineon Technologies
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Diretto


onsemi
In magazzino: 95’053
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Scheda tecnica

Diretto


onsemi
In magazzino: 0
Prezzo unitario : Fr. 0.14000
Scheda tecnica

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In magazzino: 2’580
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Prezzo unitario : Fr. 0.13000
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onsemi
In magazzino: 0
Prezzo unitario : Fr. 0.14000
Scheda tecnica

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onsemi
In magazzino: 0
Prezzo unitario : Fr. 0.15000
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Nexperia USA Inc.
In magazzino: 0
Prezzo unitario : Fr. 0.11000
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Nexperia USA Inc.
In magazzino: 0
Prezzo unitario : Fr. 0.11000
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Toshiba Semiconductor and Storage
In magazzino: 5’636
Prezzo unitario : Fr. 0.15000
Scheda tecnica
PG-SOT23
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BCR116E6393HTSA1

Codice DigiKey
BCR116E6393HTSA1-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
BCR116E6393HTSA1
Descrizione
TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli pre-polarizzati NPN - pre-polarizzato 50 V 100 mA 150 MHz 200 mW A montaggio superficiale PG-SOT23
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Infineon Technologies
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Data di acquisto finale
Tipo di transistor
NPN - pre-polarizzato
Corrente - Collettore (Ic) max
100 mA
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max)
50 V
Resistori inclusi
R1 e R2
Resistore - Base (R1)
4.7 kOhms
Resistore - Base emettitore (R2)
47 kOhms
Guadagno di corrente c.c. (hFE) min a Ic, Vce
70 a 5mA, 5V
Saturazione Vce (max) a Ib, Ic
300mV a 500µA, 10mA
Corrente - Interruzione collettore (max)
100 nA (ICBO)
Frequenza - Transizione
150 MHz
Potenza - Max
200 mW
Grado
Automobilistico
Qualifica
AEC-Q101
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore/involucro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Contenitore del fornitore
PG-SOT23
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