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onsemi
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Diodes Incorporated
In magazzino: 2’970
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Diodes Incorporated
In magazzino: 28’754
Prezzo unitario : Fr. 0.18000
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Diodes Incorporated
In magazzino: 2’330
Prezzo unitario : Fr. 0.17000
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Diodes Incorporated
In magazzino: 3’022
Prezzo unitario : Fr. 0.18000
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Diodes Incorporated
In magazzino: 12’991
Prezzo unitario : Fr. 0.18000
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Diodes Incorporated
In magazzino: 6’000
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Diodes Incorporated
In magazzino: 1’900
Prezzo unitario : Fr. 0.11000
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Rohm Semiconductor
In magazzino: 32
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In magazzino: 35’426
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Prezzo unitario : Fr. 0.13000
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PG-SOT323
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BCR133WH6327XTSA1

Codice DigiKey
BCR133WH6327XTSA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
BCR133WH6327XTSA1
Descrizione
TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli pre-polarizzati NPN - pre-polarizzato 50 V 100 mA 130 MHz 250 mW A montaggio superficiale PG-SOT323
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
BCR133WH6327XTSA1 Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Infineon Technologies
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Data di acquisto finale
Tipo di transistor
NPN - pre-polarizzato
Corrente - Collettore (Ic) max
100 mA
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max)
50 V
Resistori inclusi
R1 e R2
Resistore - Base (R1)
10 kOhms
Resistore - Base emettitore (R2)
10 kOhms
Guadagno di corrente c.c. (hFE) min a Ic, Vce
30 a 5mA, 5V
Saturazione Vce (max) a Ib, Ic
300mV a 500µA, 10mA
Corrente - Interruzione collettore (max)
100 nA (ICBO)
Frequenza - Transizione
130 MHz
Potenza - Max
250 mW
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore/involucro
SC-70, SOT-323
Contenitore del fornitore
PG-SOT323
Codice componente base
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Data ultima possibilità d'acquisto
Data ultima possibilità d'acquisto: 31.12.2026
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
36’000Fr. 0.02974Fr. 1’070.64
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 0.02974
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 0.03215