Simile
Simile
Simile
Simile
Simile
Simile

BCR22PNH6433XTMA1 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 448-BCR22PNH6433XTMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | BCR22PNH6433XTMA1 |
Descrizione | TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT363 |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Transistor - Bipolari (BJT) - Array pre-polarizzati 1 NPN, 1 PNP - pre-polarizzati (doppi) 50V 100mA 130MHz 250mW A montaggio superficiale PG-SOT363-PO |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Categoria | Guadagno di corrente c.c. (hFE) min a Ic, Vce 50 a 5mA, 5V |
Produttore Infineon Technologies | Saturazione Vce (max) a Ib, Ic 300mV a 500µA, 10mA |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Frequenza - Transizione 130MHz |
Stato componente Data di acquisto finale | Potenza - Max 250mW |
Tipo di transistor 1 NPN, 1 PNP - pre-polarizzati (doppi) | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Corrente - Collettore (Ic) max 100mA | Contenitore/involucro 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 |
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max) 50V | Contenitore del fornitore PG-SOT363-PO |
Resistore - Base (R1) 22kohm | Codice componente base |
Resistore - Base emettitore (R2) 22kohm |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| MUN5312DW1T1G | onsemi | 29’131 | MUN5312DW1T1GOSCT-ND | Fr. 0.19000 | Simile |
| NSVMUN5212DW1T1G | onsemi | 8’395 | NSVMUN5212DW1T1GOSCT-ND | Fr. 0.23000 | Simile |
| NSVMUN5312DW1T3G | onsemi | 0 | 488-NSVMUN5312DW1T3GCT-ND | Fr. 0.22000 | Simile |
| PUMD18,115 | Nexperia USA Inc. | 2’129 | 1727-PUMD18,115CT-ND | Fr. 0.19000 | Simile |
| SMUN5112DW1T1G | onsemi | 0 | 488-SMUN5112DW1T1GCT-ND | Fr. 0.21000 | Simile |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 20’000 | Fr. 0.06060 | Fr. 1’212.00 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 0.06060 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 0.06551 |



