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In magazzino: 0
Prezzo unitario : Fr. 0.22000
Scheda tecnica
Transistor - Bipolari (BJT) - Array, pre-polarizzati 1 NPN, 1 PNP - pre-polarizzati (doppi) 50V 100mA 130MHz 250mW A montaggio superficiale PG-SOT363-PO
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BCR22PNH6433XTMA1

Codice DigiKey
448-BCR22PNH6433XTMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
BCR22PNH6433XTMA1
Descrizione
TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT363
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Transistor - Bipolari (BJT) - Array pre-polarizzati 1 NPN, 1 PNP - pre-polarizzati (doppi) 50V 100mA 130MHz 250mW A montaggio superficiale PG-SOT363-PO
Scheda tecnica
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Attributi del prodotto
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Categoria
Guadagno di corrente c.c. (hFE) min a Ic, Vce
50 a 5mA, 5V
Produttore
Infineon Technologies
Saturazione Vce (max) a Ib, Ic
300mV a 500µA, 10mA
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Frequenza - Transizione
130MHz
Stato componente
Data di acquisto finale
Potenza - Max
250mW
Tipo di transistor
1 NPN, 1 PNP - pre-polarizzati (doppi)
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Corrente - Collettore (Ic) max
100mA
Contenitore/involucro
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max)
50V
Contenitore del fornitore
PG-SOT363-PO
Resistore - Base (R1)
22kohm
Codice componente base
Resistore - Base emettitore (R2)
22kohm
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
Sostituti (6)
Codice componenteProduttore Quantità disponibileCodice DigiKey Prezzo unitario Tipo di articolo sostitutivo
MUN5312DW1T1Gonsemi29’131MUN5312DW1T1GOSCT-NDFr. 0.19000Simile
NSVMUN5212DW1T1Gonsemi8’395NSVMUN5212DW1T1GOSCT-NDFr. 0.23000Simile
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SMUN5112DW1T1Gonsemi0488-SMUN5112DW1T1GCT-NDFr. 0.21000Simile
Data ultima possibilità d'acquisto
Data ultima possibilità d'acquisto: 31.12.2026
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
20’000Fr. 0.06060Fr. 1’212.00
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 0.06060
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 0.06551