Diretto
Diretto
Diretto
Diretto
Simile
Simile
Simile
Simile
Simile

BCV26E6327HTSA1 | |
|---|---|
Codice DigiKey | BCV26E6327HTSA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | BCV26E6327HTSA1 |
Descrizione | TRANS PNP DARL 30V 0.5A PG-SOT23 |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli PNP - Darlington 30 V 500 mA 200MHz 360 mW A montaggio superficiale PG-SOT23 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | BCV26E6327HTSA1 Modelli |
Categoria | Guadagno di corrente c.c. (hFE) min a Ic, Vce 20000 a 100mA, 5V |
Produttore | Potenza - Max 360 mW |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Frequenza - Transizione 200MHz |
Stato componente Obsoleto | Temperatura di funzionamento 150°C (TJ) |
Tipo di transistor | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Corrente - Collettore (Ic) max 500 mA | Contenitore/involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max) 30 V | Contenitore del fornitore PG-SOT23 |
Saturazione Vce (max) a Ib, Ic 1V a 100µA, 100mA | Codice componente base |
Corrente - Interruzione collettore (max) 100 nA (ICBO) |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| BCV26,215 | Nexperia USA Inc. | 8 | 1727-4893-1-ND | Fr. 0.22000 | Diretto |
| MMBTA64-7-F | Diodes Incorporated | 24 | MMBTA64-FDICT-ND | Fr. 0.16000 | Diretto |
| MMBTA64LT1G | onsemi | 49’752 | MMBTA64LT1GOSCT-ND | Fr. 0.14000 | Diretto |
| SMMBTA64LT1G | onsemi | 5’990 | 488-SMMBTA64LT1GCT-ND | Fr. 0.31000 | Diretto |
| 2SB852KT146B | Rohm Semiconductor | 2’575 | 2SB852KT146BCT-ND | Fr. 0.60000 | Simile |






