BCV26E6327HTSA1 è obsoleto e non è più in produzione.
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Rohm Semiconductor
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Scheda tecnica

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Diodes Incorporated
In magazzino: 3’896
Prezzo unitario : Fr. 0.16000
Scheda tecnica

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onsemi
In magazzino: 0
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Scheda tecnica
Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli PNP - Darlington 30 V 500 mA 200MHz 360 mW A montaggio superficiale PG-SOT23
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BCV26E6327HTSA1

Codice DigiKey
BCV26E6327HTSA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
BCV26E6327HTSA1
Descrizione
TRANS PNP DARL 30V 0.5A PG-SOT23
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli PNP - Darlington 30 V 500 mA 200MHz 360 mW A montaggio superficiale PG-SOT23
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
BCV26E6327HTSA1 Modelli
Attributi del prodotto
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Mostra attributi vuoti
Categoria
Guadagno di corrente c.c. (hFE) min a Ic, Vce
20000 a 100mA, 5V
Produttore
Potenza - Max
360 mW
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Frequenza - Transizione
200MHz
Stato componente
Obsoleto
Temperatura di funzionamento
150°C (TJ)
Tipo di transistor
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Corrente - Collettore (Ic) max
500 mA
Contenitore/involucro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max)
30 V
Contenitore del fornitore
PG-SOT23
Saturazione Vce (max) a Ib, Ic
1V a 100µA, 100mA
Codice componente base
Corrente - Interruzione collettore (max)
100 nA (ICBO)
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
Sostituti (9)
Codice componenteProduttore Quantità disponibileCodice DigiKey Prezzo unitario Tipo di articolo sostitutivo
BCV26,215Nexperia USA Inc.81727-4893-1-NDFr. 0.22000Diretto
MMBTA64-7-FDiodes Incorporated24MMBTA64-FDICT-NDFr. 0.16000Diretto
MMBTA64LT1Gonsemi49’752MMBTA64LT1GOSCT-NDFr. 0.14000Diretto
SMMBTA64LT1Gonsemi5’990488-SMMBTA64LT1GCT-NDFr. 0.31000Diretto
2SB852KT146BRohm Semiconductor2’5752SB852KT146BCT-NDFr. 0.60000Simile
Obsoleto
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