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BDP949H6327XTSA1 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 448-BDP949H6327XTSA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | BDP949H6327XTSA1 |
Descrizione | TRANS NPN 60V 3A PG-SOT223-4-10 |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli NPN 60 V 3 A 100MHz 5 W A montaggio superficiale PG-SOT223-4-10 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | BDP949H6327XTSA1 Modelli |
Attributi del prodotto
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Categoria | Guadagno di corrente c.c. (hFE) min a Ic, Vce 100 a 500mA, 1V |
Produttore | Potenza - Max 5 W |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Frequenza - Transizione 100MHz |
Stato componente Data di acquisto finale | Temperatura di funzionamento 150°C (TJ) |
Tipo di transistor | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Corrente - Collettore (Ic) max 3 A | Contenitore/involucro TO-261-4, TO-261AA |
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max) 60 V | Contenitore del fornitore PG-SOT223-4-10 |
Saturazione Vce (max) a Ib, Ic 500mV a 200mA, 2A | Codice componente base |
Corrente - Interruzione collettore (max) 100 nA (ICBO) |
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Sostituti (10)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| NSS60601MZ4T1G | onsemi | 6’513 | NSS60601MZ4T1GOSCT-ND | Fr. 0.81000 | Diretto |
| NSV60601MZ4T1G | onsemi | 3’428 | NSV60601MZ4T1GOSCT-ND | Fr. 0.82000 | Diretto |
| 2STN1360 | STMicroelectronics | 251 | 497-5212-1-ND | Fr. 0.66000 | Simile |
| BCP55TA | Diodes Incorporated | 92 | BCP55CT-ND | Fr. 0.36000 | Simile |
| DNLS350E-13 | Diodes Incorporated | 0 | DNLS350EDICT-ND | Fr. 0.51000 | Simile |
Data ultima possibilità d'acquisto
Data ultima possibilità d'acquisto: 31.12.2026
Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.17497 | Fr. 524.91 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 0.17497 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 0.18914 |
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