BDP954H6327XTSA1 è disponibile per l'acquisto ma non è generalmente a magazzino.
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Scheda tecnica
Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli PNP 100 V 3 A 100MHz 5 W A montaggio superficiale PG-SOT223-4-10
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BDP954H6327XTSA1

Codice DigiKey
BDP954H6327XTSA1-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
BDP954H6327XTSA1
Descrizione
TRANS PNP 100V 3A PG-SOT223-4-10
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli PNP 100 V 3 A 100MHz 5 W A montaggio superficiale PG-SOT223-4-10
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
BDP954H6327XTSA1 Modelli
Attributi del prodotto
Filtra prodotti simili
Mostra attributi vuoti
Categoria
Corrente - Interruzione collettore (max)
100 nA (ICBO)
Produttore
Guadagno di corrente c.c. (hFE) min a Ic, Vce
85 a 500mA, 1V
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Potenza - Max
5 W
Stato componente
Data di acquisto finale
Frequenza - Transizione
100MHz
Tipo di transistor
Temperatura di funzionamento
150°C (TJ)
Corrente - Collettore (Ic) max
3 A
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max)
100 V
Contenitore/involucro
TO-261-4, TO-261AA
Saturazione Vce (max) a Ib, Ic
500mV a 200mA, 2A
Contenitore del fornitore
PG-SOT223-4-10
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
Sostituti (5)
Codice componenteProduttore Quantità disponibileCodice DigiKey Prezzo unitario Tipo di articolo sostitutivo
FZT753TADiodes Incorporated4’782FZT753CT-NDFr. 0.94000Simile
FZT953TADiodes Incorporated0FZT953CT-NDFr. 1.29000Simile
NSS1C200MZ4T1Gonsemi835NSS1C200MZ4T1GOSCT-NDFr. 0.67000Simile
NSV1C200MZ4T1Gonsemi0NSV1C200MZ4T1GOSCT-NDFr. 0.75000Simile
ZX5T953GTADiodes Incorporated2’902ZX5T953GCT-NDFr. 1.20000Simile
Data ultima possibilità d'acquisto
Data ultima possibilità d'acquisto: 31.12.2026
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
3’000Fr. 0.17497Fr. 524.91
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 0.17497
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 0.18914