BFN26E6327HTSA1 è disponibile per l'acquisto ma non è generalmente a magazzino.
Sostituti disponibili:

Diretto


onsemi
In magazzino: 752
Prezzo unitario : Fr. 0.30000
Scheda tecnica

Simile


Diodes Incorporated
In magazzino: 0
Prezzo unitario : Fr. 0.18000
Scheda tecnica

Simile


Nexperia USA Inc.
In magazzino: 0
Prezzo unitario : Fr. 0.25000
Scheda tecnica

Simile


Nexperia USA Inc.
In magazzino: 2’149
Prezzo unitario : Fr. 0.25000
Scheda tecnica

Simile


Diodes Incorporated
In magazzino: 4’364
Prezzo unitario : Fr. 0.32000
Scheda tecnica

Simile


onsemi
In magazzino: 0
Prezzo unitario : Fr. 0.23000
Scheda tecnica

Simile


Diodes Incorporated
In magazzino: 6’863
Prezzo unitario : Fr. 0.51000
Scheda tecnica

Simile


Diodes Incorporated
In magazzino: 9’220
Prezzo unitario : Fr. 0.52000
Scheda tecnica

Simile


Diodes Incorporated
In magazzino: 4’633
Prezzo unitario : Fr. 0.30000
Scheda tecnica

Simile


onsemi
In magazzino: 13’081
Prezzo unitario : Fr. 0.16000
Scheda tecnica

Simile


onsemi
In magazzino: 32’164
Prezzo unitario : Fr. 0.19000
Scheda tecnica

Simile


onsemi
In magazzino: 1’629’155
Prezzo unitario : Fr. 0.11000
Scheda tecnica

Simile


onsemi
In magazzino: 208’790
Prezzo unitario : Fr. 0.11000
Scheda tecnica

Simile


onsemi
In magazzino: 30’462
Prezzo unitario : Fr. 0.13000
Scheda tecnica
Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli NPN 300 V 200 mA 70MHz 360 mW A montaggio superficiale PG-SOT23
Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

BFN26E6327HTSA1

Codice DigiKey
BFN26E6327HTSA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
BFN26E6327HTSA1
Descrizione
TRANS NPN 300V 0.2A PG-SOT23
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli NPN 300 V 200 mA 70MHz 360 mW A montaggio superficiale PG-SOT23
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
BFN26E6327HTSA1 Modelli
Attributi del prodotto
Filtra prodotti simili
Mostra attributi vuoti
Categoria
Guadagno di corrente c.c. (hFE) min a Ic, Vce
30 a 30mA, 10V
Produttore
Potenza - Max
360 mW
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Frequenza - Transizione
70MHz
Stato componente
Data di acquisto finale
Temperatura di funzionamento
150°C (TJ)
Tipo di transistor
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Corrente - Collettore (Ic) max
200 mA
Contenitore/involucro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max)
300 V
Contenitore del fornitore
PG-SOT23
Saturazione Vce (max) a Ib, Ic
500mV a 2mA, 20mA
Codice componente base
Corrente - Interruzione collettore (max)
100 nA (ICBO)
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
Sostituti (23)
Codice componenteProduttore Quantità disponibileCodice DigiKey Prezzo unitario Tipo di articolo sostitutivo
SMMBTA42LT1Gonsemi752SMMBTA42LT1GOSCT-NDFr. 0.30000Diretto
BC817-40-7-FDiodes Incorporated0BC817-40FDICT-NDFr. 0.18000Simile
BF820,215Nexperia USA Inc.01727-4921-1-NDFr. 0.25000Simile
BF820,235Nexperia USA Inc.2’1491727-5476-1-NDFr. 0.25000Simile
DN350T05-7Diodes Incorporated4’364DN350T05DICT-NDFr. 0.32000Simile
Data ultima possibilità d'acquisto
Data ultima possibilità d'acquisto: 31.12.2026
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
24’000Fr. 0.06706Fr. 1’609.44
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 0.06706
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 0.07249