BFP640FESDH6327XTSA1 Infineon Technologies | Transistor RF bipolari

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BFP640FESDH6327XTSA1
Codice DigiKey	448-BFP640FESDH6327XTSA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-BFP640FESDH6327XTSA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-BFP640FESDH6327XTSA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	BFP640FESDH6327XTSA1
Descrizione	RF TRANS NPN 4.7V 46GHZ 4-TSFP
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Transistore RF NPN 4,7V 50mA 46GHz 200mW A montaggio superficiale 4-TSFP
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	BFP640FESDH6327XTSA1 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor Bipolare (BJT) Transistor RF bipolari	Potenza - Max 200mW
Produttore Infineon Technologies	Guadagno di corrente c.c. (hFE) min a Ic, Vce 110 a 30mA, 3V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Corrente - Collettore (Ic) max 50mA
Stato componente Obsoleto	Temperatura di funzionamento 150°C (TJ)
Tipo di transistor NPN	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max) 4,7V	Contenitore/involucro 4-SMD, conduttori piatti
Frequenza - Transizione 46GHz	Contenitore del fornitore 4-TSFP
Cifra di rumore (dB tip. a f) 0,55dB ~ 1,7dB a 150MHz ~ 10GHz	Codice componente base BFP640
Guadagno 8B ~ 30,5dB

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Sostituti (3)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
BFP640FH6327XTSA1	Infineon Technologies	1’859	BFP640FH6327XTSA1CT-ND	Fr. 3.61000	Consigliato dal produttore
2SC4915-O,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	1’931	2SC4915-OLFCT-ND	Fr. 1.46000	Simile
MT3S16U(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	231	MT3S16U(TE85LF)CT-ND	Fr. 1.59000	Simile

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BFP640FESDH6327XTSA1