Name: BSC005N03LS5IATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-BSC005N03LS5IATMA1TR-ND
Price: 2.60521 CHF
Availability: InStock

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BSC005N03LS5IATMA1
Codice DigiKey	448-BSC005N03LS5IATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-BSC005N03LS5IATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-BSC005N03LS5IATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	BSC005N03LS5IATMA1
Descrizione	TRENCH <= 40V
Tempi di consegna standard del produttore	61 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 42A (Ta), 433A (Tc) 3W (Ta), 188W (Tc) A montaggio superficiale PG-TDSON-8 FL
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	BSC005N03LS5IATMA1 Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2V a 10mA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 128 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 8000 pF @ 15 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 3W (Ta), 188W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 30 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 42A (Ta), 433A (Tc)	Contenitore del fornitore PG-TDSON-8 FL
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN
RDSon (max) a Id, Vgs 0,55mohm a 50A, 10V