Name: BSC009NE2LS5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC009NE2LS5ATMA1TR-ND
Price: 1.99985 CHF
Availability: InStock

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

BSC009NE2LS5ATMA1
Codice DigiKey	BSC009NE2LS5ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) BSC009NE2LS5ATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) BSC009NE2LS5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	BSC009NE2LS5ATMA1
Descrizione	MOSFET N-CH 25V 41A/223A TDSON
Tempi di consegna standard del produttore	61 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 25 V 41A (Ta), 223A (Tc) 2,5W (Ta), 74W (Tc) A montaggio superficiale PG-TDSON-8-7
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	BSC009NE2LS5ATMA1 Modelli

Attributi del prodotto

Filtra prodotti simili

Mostra attributi vuoti

Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2V a 250µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 57 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™ 5	Vgs (max) ±16V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 3900 pF @ 12 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 2,5W (Ta), 74W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 25 V	Contenitore del fornitore PG-TDSON-8-7
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 41A (Ta), 223A (Tc)	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Codice componente base BSC009
RDSon (max) a Id, Vgs 0,9mohm a 30A, 10V