Name: BSC010N04LSIATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC010N04LSIATMA1TR-ND
Price: 2.84303 CHF
Availability: InStock

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BSC010N04LSIATMA1
Codice DigiKey	BSC010N04LSIATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) BSC010N04LSIATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) BSC010N04LSIATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	BSC010N04LSIATMA1
Descrizione	MOSFET N-CH 40V 37A/100A TDSON
Tempi di consegna standard del produttore	61 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 40 V 37 A (Ta), 100 A (Tc) 2,5W (Ta), 139W (Tc) A montaggio superficiale PG-TDSON-8 FL
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	BSC010N04LSIATMA1 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2V a 250µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 87 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 6200 pF @ 20 V
Stato componente Attivo	Funzione FET Diodo Schottky (body)
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 2,5W (Ta), 139W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 40 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 37 A (Ta), 100 A (Tc)	Contenitore del fornitore PG-TDSON-8 FL
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN
RDSon (max) a Id, Vgs 1,05mohm a 50A, 10V	Codice componente base BSC010

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