Name: BSC014NE2LSIATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC014NE2LSIATMA1TR-ND
Price: 1.53502 CHF
Availability: InStock

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BSC014NE2LSIATMA1
Codice DigiKey	BSC014NE2LSIATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) BSC014NE2LSIATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) BSC014NE2LSIATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	BSC014NE2LSIATMA1
Descrizione	MOSFET N-CH 25V 33A/100A TDSON
Tempi di consegna standard del produttore	26 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 25 V 33 A (Ta), 100 A (Tc) 2,5W (Ta), 74W (Tc) A montaggio superficiale PG-TDSON-8-7
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	BSC014NE2LSIATMA1 Modelli

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	25 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	33 A (Ta), 100 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	1,4mohm a 30A, 10V
Vgs(th) max a Id	2V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	39 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	2700 pF @ 12 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2,5W (Ta), 74W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	PG-TDSON-8-7
Contenitore/involucro	8-PowerTDFN
Codice componente base	BSC014

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 1.42000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 1.53502

BSC014NE2LSIATMA1