
BSC018NE2LSIATMA1 | |
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Codice DigiKey | BSC018NE2LSIATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) BSC018NE2LSIATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) BSC018NE2LSIATMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | BSC018NE2LSIATMA1 |
Descrizione | MOSFET N-CH 25V 29A/100A TDSON |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 25 V 29 A (Ta), 100 A (Tc) 2,5W (Ta), 69W (Tc) A montaggio superficiale PG-TDSON-8-6 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | BSC018NE2LSIATMA1 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Obsoleto | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 25 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 4,5V, 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 1,8mohm a 30A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 2V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 36 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 2500 pF @ 12 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 2,5W (Ta), 69W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PG-TDSON-8-6 | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 1.31000 | Fr. 1.31 |
| 10 | Fr. 0.83400 | Fr. 8.34 |
| 100 | Fr. 0.55850 | Fr. 55.85 |
| 500 | Fr. 0.44026 | Fr. 220.13 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.31000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.41611 |









