Name: BSC019N08NS5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-BSC019N08NS5ATMA1TR-ND
Price: 4.55101 CHF
Availability: InStock

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BSC019N08NS5ATMA1
Codice DigiKey	448-BSC019N08NS5ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-BSC019N08NS5ATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-BSC019N08NS5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	BSC019N08NS5ATMA1
Descrizione	MOSFET N-CH 80V 28A/237A TSON-8
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 80 V 28A (Ta), 237A (Tc) 3W (Ta), 214W (Tc) A montaggio superficiale PG-TSON-8-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	BSC019N08NS5ATMA1 Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	RDSon (max) a Id, Vgs 1,9mohm a 50A, 10V
Produttore Infineon Technologies	Vgs(th) max a Id 3,8V a 146µA
Serie OptiMOS™ 5	Carica del gate (Qg) max a Vgs 117 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Non per nuovi progetti	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 8600 pF @ 40 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 3W (Ta), 214W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 80 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 28A (Ta), 237A (Tc)	Contenitore del fornitore PG-TSON-8-3
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 6V, 10V	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN