BSC022N04LSATMA1 Infineon Technologies | FET, MOSFET singoli

BSC022N04LSATMA1 è obsoleto e non è più in produzione.

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BSC022N04LSATMA1
Codice DigiKey	BSC022N04LSATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) BSC022N04LSATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) BSC022N04LSATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	BSC022N04LSATMA1
Descrizione	MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8-6
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 40 V 100 A (Tc) 2,5W (Ta), 69W (Tc) A montaggio superficiale PG-TDSON-8-6
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	BSC022N04LSATMA1 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2V a 250µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 37 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2600 pF @ 20 V
Stato componente Obsoleto	Dissipazione di potenza (max) 2,5W (Ta), 69W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 40 V	Contenitore del fornitore PG-TDSON-8-6
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 100 A (Tc)	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Codice componente base BSC022
RDSon (max) a Id, Vgs 2,2mohm a 50A, 10V

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Sostituti (4)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
BSC022N04LS6ATMA1	Infineon Technologies	5	BSC022N04LS6ATMA1CT-ND	Fr. 1.64000	Consigliato dal produttore
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