BSZ0702LSATMA1 Infineon Technologies | FET, MOSFET singoli

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Infineon Technologies

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Prezzo unitario : Fr. 1.51000

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BSZ0702LSATMA1
Codice DigiKey	448-BSZ0702LSATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-BSZ0702LSATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-BSZ0702LSATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	BSZ0702LSATMA1
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 17A/40A TSDSON
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 60 V 17 A (Ta), 40 A (Tc) 2,1W (Ta), 69W (Tc) A montaggio superficiale PG-TDSON-8 FL
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	BSZ0702LSATMA1 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2,3V a 36µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 22 nC @ 4.5 V
Serie OptiMOS™	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 3100 pF @ 30 V
Stato componente Obsoleto	Dissipazione di potenza (max) 2,1W (Ta), 69W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 60 V	Contenitore del fornitore PG-TDSON-8 FL
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 17 A (Ta), 40 A (Tc)	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Codice componente base BSZ0702
RDSon (max) a Id, Vgs 4mohm a 20A, 10V

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Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
ISZ0702NLSATMA1	Infineon Technologies	6’040	448-ISZ0702NLSATMA1CT-ND	Fr. 1.51000	Consigliato dal produttore

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