BSC030N04NSGATMA1 Infineon Technologies | FET, MOSFET singoli

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BSC030N04NSGATMA1
Codice DigiKey	BSC030N04NSGATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) BSC030N04NSGATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) BSC030N04NSGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	BSC030N04NSGATMA1
Descrizione	MOSFET N-CH 40V 23A/100A TDSON
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 40 V 23 A (Ta), 100 A (Tc) 2,5W (Ta), 83W (Tc) A montaggio superficiale PG-TDSON-8-1
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	BSC030N04NSGATMA1 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4V a 49µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 61 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 4900 pF @ 20 V
Stato componente Obsoleto	Dissipazione di potenza (max) 2,5W (Ta), 83W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 40 V	Contenitore del fornitore PG-TDSON-8-1
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 23 A (Ta), 100 A (Tc)	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base BSC030
RDSon (max) a Id, Vgs 3mohm a 50A, 10V

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Classificazioni ambientali e di esportazione

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Sostituti (4)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
DI105N04PQ-AQ	Diotec Semiconductor	4’490	4878-DI105N04PQ-AQCT-ND	Fr. 1.32000	Simile
FDMS8460	onsemi	11’134	488-FDMS8460CT-ND	Fr. 1.83000	Simile
PJQ5440_R2_00001	Panjit International Inc.	2’902	3757-PJQ5440_R2_00001CT-ND	Fr. 1.39000	Simile
PSMN2R6-40YS,115	Nexperia USA Inc.	27’824	1727-4274-1-ND	Fr. 2.01000	Simile