BSC046N02KSGAUMA1 Infineon Technologies | FET, MOSFET singoli

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BSC046N02KSGAUMA1
Codice DigiKey	BSC046N02KSGAUMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) BSC046N02KSGAUMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) BSC046N02KSGAUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	BSC046N02KSGAUMA1
Descrizione	MOSFET N-CH 20V 19A/80A TDSON
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 20 V 19 A (Ta), 80 A (Tc) 2,8W (Ta), 48W (Tc) A montaggio superficiale PG-TDSON-8-1
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	BSC046N02KSGAUMA1 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 1,2V a 110µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 27.6 nC @ 4.5 V
Serie OptiMOS™	Vgs (max) ±12V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 4100 pF @ 10 V
Stato componente Obsoleto	Dissipazione di potenza (max) 2,8W (Ta), 48W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 20 V	Contenitore del fornitore PG-TDSON-8-1
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 19 A (Ta), 80 A (Tc)	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 2,5V, 4,5V	Codice componente base BSC046
RDSon (max) a Id, Vgs 4,6mohm a 50A, 4,5V

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Sostituti (2)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
BSC026NE2LS5ATMA1	Infineon Technologies	0	BSC026NE2LS5ATMA1CT-ND	Fr. 1.55000	Consigliato dal produttore
CSD16340Q3	Texas Instruments	0	296-25646-1-ND	Fr. 1.39000	Simile