Name: BSC050NE2LSATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC050NE2LSATMA1TR-ND
Price: 0.92966 CHF
Availability: InStock

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

BSC050NE2LSATMA1
Codice DigiKey	BSC050NE2LSATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) BSC050NE2LSATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) BSC050NE2LSATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	BSC050NE2LSATMA1
Descrizione	MOSFET N-CH 25V 39A/58A TDSON
Tempi di consegna standard del produttore	61 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 25 V 39 A (Ta), 58 A (Tc) 2,5W (Ta), 28W (Tc) A montaggio superficiale PG-TDSON-8-5
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	BSC050NE2LSATMA1 Modelli

Attributi del prodotto

Filtra prodotti simili

Mostra attributi vuoti

Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2V a 250µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 10.4 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 760 pF @ 12 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 2,5W (Ta), 28W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 25 V	Contenitore del fornitore PG-TDSON-8-5
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 39 A (Ta), 58 A (Tc)	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Codice componente base BSC050
RDSon (max) a Id, Vgs 5mohm a 30A, 10V