BSC0904NSIATMA1 Infineon Technologies | FET, MOSFET singoli

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BSC0904NSIATMA1
Codice DigiKey	BSC0904NSIATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) BSC0904NSIATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) BSC0904NSIATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	BSC0904NSIATMA1
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 20A/78A TDSON
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 20 A (Ta), 78 A (Tc) 2,5W (Ta), 37W (Tc) A montaggio superficiale PG-TDSON-8-6
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	BSC0904NSIATMA1 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2V a 250µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 17 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1100 pF @ 15 V
Stato componente Obsoleto	Dissipazione di potenza (max) 2,5W (Ta), 37W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 30 V	Contenitore del fornitore PG-TDSON-8-6
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 20 A (Ta), 78 A (Tc)	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Codice componente base BSC0904
RDSon (max) a Id, Vgs 3,7mohm a 30A, 10V

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Sostituti (8)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
BSC0502NSIATMA1	Infineon Technologies	22’766	BSC0502NSIATMA1CT-ND	Fr. 1.31000	Consigliato dal produttore
CSD17301Q5A	Texas Instruments	12’800	296-25795-1-ND	Fr. 1.98000	Simile
CSD17305Q5A	Texas Instruments	0	296-25855-1-ND	Fr. 1.32000	Simile
CSD17306Q5A	Texas Instruments	2’964	296-25856-1-ND	Fr. 1.67000	Simile
CSD17501Q5A	Texas Instruments	0	296-28437-1-ND	Fr. 2.24000	Simile

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