Name: BSC090N03LSGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC090N03LSGATMA1TR-ND
Price: 0.27025 CHF
Availability: InStock

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BSC090N03LSGATMA1
Codice DigiKey	BSC090N03LSGATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) BSC090N03LSGATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) BSC090N03LSGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	BSC090N03LSGATMA1
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 13A/48A TDSON
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 13 A (Ta), 48 A (Tc) 2,5W (Ta), 32W (Tc) A montaggio superficiale PG-TDSON-8-5
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	BSC090N03LSGATMA1 Modelli

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Data di acquisto finale
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	13 A (Ta), 48 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	9mohm a 30A, 10V
Vgs(th) max a Id	2,2V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	18 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	1500 pF @ 15 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2,5W (Ta), 32W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	PG-TDSON-8-5
Contenitore/involucro	8-PowerTDFN
Codice componente base	BSC090

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
1	Fr. 0.25000	Fr. 0.25
10	Fr. 0.19500	Fr. 1.95

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 0.25000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 0.27025

BSC090N03LSGATMA1