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BSC0910NDIATMA1 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 448-BSC0910NDIATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-BSC0910NDIATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-BSC0910NDIATMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | BSC0910NDIATMA1 |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 25V 11A/31A TISON8 |
Tempi di consegna standard del produttore | 18 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 25V 11 A, 31 A 1W A montaggio superficiale PG-TISON-8 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | BSC0910NDIATMA1 Modelli |
Attributi del prodotto
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
|---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | Infineon Technologies | |
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tecnologia | MOSFET (ossido di metallo) | |
Configurazione | Asimmetrico a 2 canali N (duale) | |
Funzione FET | Gate livello logico, comando 4,5V | |
Tensione drain/source (Vdss) | 25V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | 11 A, 31 A | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 4,6mohm a 25A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 2V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 6,6nC a 4,5V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 4500pF a 12V | |
Potenza - Max | 1W | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore/involucro | 8-PowerTDFN | |
Contenitore del fornitore | PG-TISON-8 | |
Codice componente base |
In magazzino: 6’581
Controlla eventuali scorte in arrivo aggiuntive
Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 1.43000 | Fr. 1.43 |
| 10 | Fr. 1.11800 | Fr. 11.18 |
| 100 | Fr. 0.91390 | Fr. 91.39 |
| 500 | Fr. 0.75154 | Fr. 375.77 |
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 5’000 | Fr. 0.61400 | Fr. 3’070.00 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.43000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.54583 |
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