Name: BSC096N10LS5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-BSC096N10LS5ATMA1TR-ND
Price: 1.27558 CHF
Availability: InStock

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

BSC096N10LS5ATMA1
Codice DigiKey	448-BSC096N10LS5ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-BSC096N10LS5ATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-BSC096N10LS5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	BSC096N10LS5ATMA1
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 40A TDSON-8-6
Tempi di consegna standard del produttore	61 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 40 A (Tc) 3W (Ta), 83W (Tc) A montaggio superficiale PG-TDSON-8-6
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	BSC096N10LS5ATMA1 Modelli

Attributi del prodotto

Filtra prodotti simili

Mostra attributi vuoti

Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2,3V a 36µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 14.6 nC @ 4.5 V
Serie OptiMOS™ 5	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2100 pF @ 50 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 3W (Ta), 83W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Contenitore del fornitore PG-TDSON-8-6
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 40 A (Tc)	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Codice componente base BSC096
RDSon (max) a Id, Vgs 9,6mohm a 20A, 10V

Segnala un errore nelle informazioni sul prodotto

Documenti e risorse multimediali

Classificazioni ambientali e di esportazione

Altre risorse

In magazzino: 9’781

Controlla eventuali scorte in arrivo aggiuntive

Quantità

Tutti i prezzi sono in CHF

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®