Name: BSC0996NSATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC0996NSATMA1-ND
Price: 0.2665 CHF
Availability: OutOfStock

Canale N 34 V 13 A (Ta) 2,5W (Ta) A montaggio superficiale PG-TDSON-8-5

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BSC0996NSATMA1
Codice DigiKey	BSC0996NSATMA1-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	BSC0996NSATMA1
Descrizione	MOSFET N-CH 34V 13A TDSON-8-5
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 34 V 13 A (Ta) 2,5W (Ta) A montaggio superficiale PG-TDSON-8-5
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2V a 250µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 20 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR)	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1500 pF @ 15 V
Stato componente Non per nuovi progetti	Dissipazione di potenza (max) 2,5W (Ta)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 34 V	Contenitore del fornitore PG-TDSON-8-5
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 13 A (Ta)	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Codice componente base BSC0996
RDSon (max) a Id, Vgs 9mohm a 8A, 10V

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Nastrato in bobina (TR)