


BSC112N06LDATMA1 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 448-BSC112N06LDATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-BSC112N06LDATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-BSC112N06LDATMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | BSC112N06LDATMA1 |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON |
Tempi di consegna standard del produttore | 48 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 60V 20 A (Tc) 65W (Tc) A montaggio superficiale PG-TDSON-8-4 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | BSC112N06LDATMA1 Modelli |
Categoria | RDSon (max) a Id, Vgs 11,2mohm a 17A, 10V |
Produttore Infineon Technologies | Vgs(th) max a Id 2,2V a 28µA |
Serie | Carica del gate (Qg) max a Vgs 55nC a 10V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 4020pF a 30V |
Stato componente Attivo | Potenza - Max 65W (Tc) |
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo) | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Configurazione 2 canali N (doppio) | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Funzione FET Porta a livello logico | Contenitore/involucro 8-PowerVDFN |
Tensione drain/source (Vdss) 60V | Contenitore del fornitore PG-TDSON-8-4 |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 20 A (Tc) | Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 1.78000 | Fr. 1.78 |
| 10 | Fr. 1.13900 | Fr. 11.39 |
| 100 | Fr. 0.77230 | Fr. 77.23 |
| 500 | Fr. 0.61514 | Fr. 307.57 |
| 1’000 | Fr. 0.56462 | Fr. 564.62 |
| 2’000 | Fr. 0.54838 | Fr. 1’096.76 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 5’000 | Fr. 0.47617 | Fr. 2’380.85 |
| 10’000 | Fr. 0.44802 | Fr. 4’480.20 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.78000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.92418 |


















