MOSFET - Array 60V 20 A (Tc) 65W (Tc) A montaggio superficiale PG-TDSON-8-4
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MOSFET - Array 60V 20 A (Tc) 65W (Tc) A montaggio superficiale PG-TDSON-8-4
PG-TDSON-8-4

BSC112N06LDATMA1

Codice DigiKey
448-BSC112N06LDATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
448-BSC112N06LDATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
448-BSC112N06LDATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Codice produttore
BSC112N06LDATMA1
Descrizione
MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
Tempi di consegna standard del produttore
17 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
MOSFET - Array 60V 20 A (Tc) 65W (Tc) A montaggio superficiale PG-TDSON-8-4
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
BSC112N06LDATMA1 Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Infineon Technologies
Serie
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione
2 canali N (doppio)
Funzione FET
Porta a livello logico
Tensione drain/source (Vdss)
60V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
20 A (Tc)
RDSon (max) a Id, Vgs
11,2mohm a 17A, 10V
Vgs(th) max a Id
2,2V a 28µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
55nC a 10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
4020pF a 30V
Potenza - Max
65W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore/involucro
8-PowerVDFN
Contenitore del fornitore
PG-TDSON-8-4
Codice componente base
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Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1Fr. 1.84000Fr. 1.84
10Fr. 1.18000Fr. 11.80
100Fr. 0.80010Fr. 80.01
500Fr. 0.63726Fr. 318.63
1’000Fr. 0.58492Fr. 584.92
2’000Fr. 0.55261Fr. 1’105.22
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
5’000Fr. 0.49329Fr. 2’466.45
10’000Fr. 0.46389Fr. 4’638.90
15’000Fr. 0.45147Fr. 6’772.05
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 1.84000
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 1.98904