BSC123N10LSGATMA1 Infineon Technologies | FET, MOSFET singoli

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BSC123N10LSGATMA1
Codice DigiKey	BSC123N10LSGATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) BSC123N10LSGATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) BSC123N10LSGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	BSC123N10LSGATMA1
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 10.6/71A 8TDSON
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 10,6 A (Ta), 71 A (Tc) 114W (Tc) A montaggio superficiale PG-TDSON-8-1
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	BSC123N10LSGATMA1 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2,4V a 72µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 68 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 4900 pF @ 50 V
Stato componente Obsoleto	Dissipazione di potenza (max) 114W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Contenitore del fornitore PG-TDSON-8-1
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 10,6 A (Ta), 71 A (Tc)	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Codice componente base BSC123
RDSon (max) a Id, Vgs 12,3mohm a 50A, 10V

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Sostituti (7)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
BSC070N10LS5ATMA1	Infineon Technologies	9’252	448-BSC070N10LS5ATMA1CT-ND	Fr. 1.11000	Consigliato dal produttore
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