Name: BSC150N03LDGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC150N03LDGATMA1TR-ND
Price: 1.14586 CHF
Availability: InStock

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BSC150N03LDGATMA1
Codice DigiKey	BSC150N03LDGATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) BSC150N03LDGATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) BSC150N03LDGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	BSC150N03LDGATMA1
Descrizione	MOSFET 2N-CH 30V 8A 8TDSON
Tempi di consegna standard del produttore	17 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 30V 8A 26W A montaggio superficiale PG-TDSON-8-4
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	BSC150N03LDGATMA1 Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET	RDSon (max) a Id, Vgs 15mohm a 20A, 10V
Produttore Infineon Technologies	Vgs(th) max a Id 2,2V a 250µA
Serie OptiMOS™	Carica del gate (Qg) max a Vgs 13,2nC a 10V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1100pF a 15V
Stato componente Attivo	Potenza - Max 26W
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Configurazione 2 canali N (doppio)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Funzione FET Porta a livello logico	Contenitore/involucro 8-PowerVDFN
Tensione drain/source (Vdss) 30V	Contenitore del fornitore PG-TDSON-8-4
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 8A	Codice componente base BSC150

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* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)