Name: BSD214SNH6327XTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-BSD214SNH6327XTSA1TR-ND
Price: 0.31349 CHF
Availability: InStock

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BSD214SNH6327XTSA1
Codice DigiKey	448-BSD214SNH6327XTSA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-BSD214SNH6327XTSA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-BSD214SNH6327XTSA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	BSD214SNH6327XTSA1
Descrizione	MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT363-6
Tempi di consegna standard del produttore	12 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 20 V 1,5 A (Ta) 500mW (Ta) A montaggio superficiale PG-SOT363-PO
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	BSD214SNH6327XTSA1 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	20 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	1,5 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	2,5V, 4,5V
RDSon (max) a Id, Vgs	140mohm a 1,5A, 4,5V
Vgs(th) max a Id	1,2V a 3,7µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	0.8 nC @ 5 V
Vgs (max)	±12V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	143 pF @ 10 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	500mW (Ta)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	Automobilistico
Qualifica	AEC-Q101
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	PG-SOT363-PO
Contenitore/involucro	6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Codice componente base	BSD214

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

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Nastrato in bobina (TR)