Name: BSD235NH6327XTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSD235NH6327XTSA1TR-ND
Price: 0.37835 CHF
Availability: InStock

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BSD235NH6327XTSA1
Codice DigiKey	BSD235NH6327XTSA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) BSD235NH6327XTSA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) BSD235NH6327XTSA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	BSD235NH6327XTSA1
Descrizione	MOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363
Tempi di consegna standard del produttore	48 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 20V 950mA 500mW A montaggio superficiale PG-SOT363-PO
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	BSD235NH6327XTSA1 Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET	Vgs(th) max a Id 1,2V a 1,6µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 0,32nC a 4,5V
Serie OptiMOS™ 2	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 63pF a 10V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Potenza - Max 500mW
Stato componente Attivo	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Grado Automobilistico
Configurazione 2 canali N (doppio)	Qualifica AEC-Q101
Funzione FET Porta a livello logico	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 20V	Contenitore/involucro 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 950mA	Contenitore del fornitore PG-SOT363-PO
RDSon (max) a Id, Vgs 350mohm a 950mA, 4,5V	Codice componente base BSD235

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Nastrato in bobina (TR)