Name: BSG0811NDATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSG0811NDATMA1TR-ND
Price: 2.45387 CHF
Availability: InStock

BSG0811NDATMA1
Codice DigiKey	BSG0811NDATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) BSG0811NDATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) BSG0811NDATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	BSG0811NDATMA1
Descrizione	MOSFET 2N-CH 25V 19A/41A TISON8
Tempi di consegna standard del produttore	27 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 25V 19 A, 41 A 2,5W A montaggio superficiale PG-TISON-8
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	BSG0811NDATMA1 Modelli

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET
Produttore	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione	Asimmetrico a 2 canali N (duale)
Funzione FET	Gate livello logico, comando 4,5V
Tensione drain/source (Vdss)	25V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	19 A, 41 A
RDSon (max) a Id, Vgs	3mohm a 20A, 10V
Vgs(th) max a Id	2V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	8,4nC a 4,5V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	1100pF a 12V
Potenza - Max	2,5W
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore/involucro	8-PowerTDFN
Contenitore del fornitore	PG-TISON-8
Codice componente base	BSG0811

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
5’000	Fr. 0.69103	Fr. 3’455.15
10’000	Fr. 0.68343	Fr. 6’834.30

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 2.27000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 2.45387

BSG0811NDATMA1