Name: BSP170IATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-BSP170IATMA1TR-ND
Price: 0.62698 CHF
Availability: InStock

Nuovo prodotto

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BSP170IATMA1
Codice DigiKey	448-BSP170IATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-BSP170IATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-BSP170IATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	BSP170IATMA1
Descrizione	BSP170IATMA1
Tempi di consegna standard del produttore	12 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 60 V 1,88A (Ta), 3,2A (Tc) 1,8W (Ta), 5W (Tc) A montaggio superficiale PG-SOT223-4-U01
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale P
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	60 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	1,88A (Ta), 3,2A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	260mohm a 1,9A, 10V
Vgs(th) max a Id	4V a 270µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	13.5 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	550 pF @ 30 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1,8W (Ta), 5W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	PG-SOT223-4-U01
Contenitore/involucro	TO-261-3

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Nastrato in bobina (TR)