Name: BSP295H6327XTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSP295H6327XTSA1TR-ND
Price: 1.04857 CHF
Availability: OutOfStock

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BSP295H6327XTSA1
Codice DigiKey	BSP295H6327XTSA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) BSP295H6327XTSA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) BSP295H6327XTSA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	BSP295H6327XTSA1
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223-4
Tempi di consegna standard del produttore	23 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 60 V 1,8 A (Ta) 1,8W (Ta) A montaggio superficiale PG-SOT223-4
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	BSP295H6327XTSA1 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 17 nC @ 10 V
Produttore Infineon Technologies	Vgs (max) ±20V
Serie SIPMOS®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 368 pF @ 25 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Dissipazione di potenza (max) 1,8W (Ta)
Stato componente Attivo	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo FET Canale N	Grado Automobilistico
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Qualifica AEC-Q101
Tensione drain/source (Vdss) 60 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 1,8 A (Ta)	Contenitore del fornitore PG-SOT223-4
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore/involucro TO-261-4, TO-261AA
RDSon (max) a Id, Vgs 300mohm a 1,8A, 10V	Codice componente base BSP295
Vgs(th) max a Id 1,8V a 400µA

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Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
DMN6068SE-13	Diodes Incorporated	20’840	DMN6068SE-13CT-ND	Fr. 0.58000	Simile
PJW3N10A_R2_00001	Panjit International Inc.	4’314	3757-PJW3N10A_R2_00001CT-ND	Fr. 0.43000	Simile

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