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BSP52H6327XTSA1 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 448-BSP52H6327XTSA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | BSP52H6327XTSA1 |
Descrizione | TRANS NPN DARL 80V 1A SOT223-4 |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli NPN - Darlington 80 V 1 A 200MHz 1.5 W A montaggio superficiale PG-SOT223-4 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | BSP52H6327XTSA1 Modelli |
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Categoria | Guadagno di corrente c.c. (hFE) min a Ic, Vce 2000 a 500mA, 10V |
Produttore | Potenza - Max 1.5 W |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Frequenza - Transizione 200MHz |
Stato componente Data di acquisto finale | Temperatura di funzionamento 150°C (TJ) |
Tipo di transistor | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Corrente - Collettore (Ic) max 1 A | Contenitore/involucro TO-261-4, TO-261AA |
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max) 80 V | Contenitore del fornitore PG-SOT223-4 |
Saturazione Vce (max) a Ib, Ic 1,8V a 1mA, 1A | Codice componente base |
Corrente - Interruzione collettore (max) 10µA |
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Sostituti (6)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| BSP52,115 | Nexperia USA Inc. | 11’884 | 1727-4931-1-ND | Fr. 0.69000 | Diretto |
| BSP52T1G | onsemi | 0 | BSP52T1GOSCT-ND | Fr. 0.56000 | Diretto |
| BSP52T3G | onsemi | 3’965 | BSP52T3GOSCT-ND | Fr. 0.56000 | Diretto |
| SBSP52T1G | onsemi | 6’692 | SBSP52T1GOSCT-ND | Fr. 0.60000 | Diretto |
| FZT603TA | Diodes Incorporated | 12’728 | FZT603CT-ND | Fr. 0.90000 | Simile |
Data ultima possibilità d'acquisto
Data ultima possibilità d'acquisto: 31.12.2026
Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 5’000 | Fr. 0.10508 | Fr. 525.40 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 0.10508 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 0.11359 |
