BSR606NH6327XTSA1 Infineon Technologies | Prodotti a semiconduttore discreti

BSR606NH6327XTSA1 è obsoleto e non è più in produzione.

Sostituti disponibili:

Simile

Nexperia USA Inc.

In magazzino: 16

Prezzo unitario : Fr. 0.25000

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

BSR606NH6327XTSA1
Codice DigiKey	BSR606NH6327XTSA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	BSR606NH6327XTSA1
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 2.3A SC59
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 60 V 2,3 A (Ta) 500mW (Ta) A montaggio superficiale PG-SC59-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	60 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	2,3 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	60mohm a 2,3A, 10V
Vgs(th) max a Id	2,3V a 15µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	5.6 nC @ 5 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	657 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	500mW (Ta)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	Automobilistico
Qualifica	AEC-Q101
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	PG-SC59-3
Contenitore/involucro	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3