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BSS119NH6433XTMA1 | |
|---|---|
Codice DigiKey | BSS119NH6433XTMA1-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | BSS119NH6433XTMA1 |
Descrizione | MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3 |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 100 V 190mA (Ta) 500mW (Ta) A montaggio superficiale PG-SOT23-3 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Attributi del prodotto
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Categoria | Carica del gate (Qg) max a Vgs 0.6 nC @ 10 V |
Produttore | Vgs (max) ±20V |
Serie | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 20.9 pF @ 25 V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Dissipazione di potenza (max) 500mW (Ta) |
Stato componente Fuori produzione presso DigiKey | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo FET | Grado Automobilistico |
Tecnologia | Qualifica AEC-Q101 |
Tensione drain/source (Vdss) 100 V | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore del fornitore PG-SOT23-3 |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V | Contenitore/involucro |
RDSon (max) a Id, Vgs 6ohm a 190mA, 10V | Codice componente base |
Vgs(th) max a Id 2,3V a 13µA |
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Sostituti (1)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| BSS123IXTSA1 | Infineon Technologies | 21’724 | 448-BSS123IXTSA1CT-ND | Fr. 0.23000 | Diretto |
In magazzino: 0
