Name: BSS126IXTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-BSS126IXTSA1TR-ND
Price: 0.29187 CHF
Availability: InStock

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BSS126IXTSA1
Codice DigiKey	448-BSS126IXTSA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-BSS126IXTSA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-BSS126IXTSA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	BSS126IXTSA1
Descrizione	MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
Tempi di consegna standard del produttore	10 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N, modalità depletion 600 V 21mA (Ta) 500mW (Ta) A montaggio superficiale PG-SOT23-3-5
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	BSS126IXTSA1 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	SIPMOS®
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N, modalità depletion
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	600 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	21mA (Ta)
RDSon (max) a Id, Vgs	500ohm a 16mA, 10V
Vgs(th) max a Id	2,7V a 8µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	1.4 nC @ 5 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	21 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	500mW (Ta)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	PG-SOT23-3-5
Contenitore/involucro	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Codice componente base	BSS126

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Nastrato in bobina (TR)