BSS169IXTSA1 Infineon Technologies | Prodotti a semiconduttore discreti

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BSS169IXTSA1
Codice DigiKey	448-BSS169IXTSA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-BSS169IXTSA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-BSS169IXTSA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	BSS169IXTSA1
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N, modalità depletion 100 V 190mA (Ta) 360mW (Ta) A montaggio superficiale PG-SOT-23-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	BSS169IXTSA1 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Fuori produzione presso Digi-Key
Tipo FET	Canale N, modalità depletion
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	100 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	190mA (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	0V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	2,9ohm a 190mA, 10V
Vgs(th) max a Id	1,8V a 50µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	2.1 nC @ 7 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	51 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	360mW (Ta)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	PG-SOT-23-3
Contenitore/involucro	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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Quantità

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

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Nastrato in bobina (TR)