BSS169IXTSA1 Infineon Technologies | FET, MOSFET singoli

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BSS169IXTSA1
Codice DigiKey	448-BSS169IXTSA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-BSS169IXTSA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-BSS169IXTSA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	BSS169IXTSA1
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N, modalità depletion 100 V 190mA (Ta) 360mW (Ta) A montaggio superficiale PG-SOT-23-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	BSS169IXTSA1 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 1,8V a 50µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 2.1 nC @ 7 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Obsoleto	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 51 pF @ 25 V
Tipo FET Canale N, modalità depletion	Dissipazione di potenza (max) 360mW (Ta)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 190mA (Ta)	Contenitore del fornitore PG-SOT-23-3
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 0V, 10V	Contenitore/involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
RDSon (max) a Id, Vgs 12ohm a 50mA, 0V

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Sostituti (1)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
BSS169IXUSA1	Infineon Technologies	0	448-BSS169IXUSA1TR-ND	Fr. 0.07102	Consigliato dal produttore

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Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 0.35000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 0.37835

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