Name: BSS806NH6327XTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSS806NH6327XTSA1TR-ND
Price: 0.30268 CHF
Availability: InStock

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

BSS806NH6327XTSA1
Codice DigiKey	BSS806NH6327XTSA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) BSS806NH6327XTSA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) BSS806NH6327XTSA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	BSS806NH6327XTSA1
Descrizione	MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23-3
Tempi di consegna standard del produttore	12 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 20 V 2,3 A (Ta) 500mW (Ta) A montaggio superficiale PG-SOT23
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	BSS806NH6327XTSA1 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	20 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	2,3 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	1,8V, 2,5V
RDSon (max) a Id, Vgs	57mohm a 2,3A, 2,5V
Vgs(th) max a Id	750mV a 11µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	1.7 nC @ 2.5 V
Vgs (max)	±8V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	529 pF @ 10 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	500mW (Ta)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	Automobilistico
Qualifica	AEC-Q101
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	PG-SOT23
Contenitore/involucro	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Codice componente base	BSS806