Name: BSS83IXUSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-BSS83IXUSA1TR-ND
Price: 0.28106 CHF
Availability: InStock

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BSS83IXUSA1
Codice DigiKey	448-BSS83IXUSA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-BSS83IXUSA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-BSS83IXUSA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	BSS83IXUSA1
Descrizione	BSS83IXUSA1
Tempi di consegna standard del produttore	19 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 60 V 320mA (Ta), 550mA (Tc) 400mW (Ta), 1,04W (Tc) A montaggio superficiale PG-SOT23-3-U03
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	BSS83IXUSA1 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2V a 34µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 1.09 nC @ 4.5 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 72 pF @ 30 V
Tipo FET Canale P	Dissipazione di potenza (max) 400mW (Ta), 1,04W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 60 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 320mA (Ta), 550mA (Tc)	Contenitore del fornitore PG-SOT23-3-U03
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore/involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
RDSon (max) a Id, Vgs 1,7ohm a 300mA, 10V

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 0.26000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 0.28106

BSS83IXUSA1