Name: BSS84IXUSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-BSS84IXUSA1TR-ND
Price: 0.20539 CHF
Availability: InStock

Nuovo prodotto

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BSS84IXUSA1
Codice DigiKey	448-BSS84IXUSA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-BSS84IXUSA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-BSS84IXUSA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	BSS84IXUSA1
Descrizione	BSS84IXUSA1
Tempi di consegna standard del produttore	12 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 60 V 180mA (Ta), 290mA (Tc) 400mW (Ta), 960mW (Tc) A montaggio superficiale PG-SOT23-3-U03
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale P
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	60 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	180mA (Ta), 290mA (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	5,5ohm a 180mA, 10V
Vgs(th) max a Id	2V a 11µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	780 pC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	23 pF @ 30 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	400mW (Ta), 960mW (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	PG-SOT23-3-U03
Contenitore/involucro	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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Nastrato in bobina (TR)